RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
6.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
6.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
47
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
6.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
6.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2061
1499
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Mushkin 996902 2GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link