RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Comparez
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Note globale
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Note globale
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
47
Autour de -88% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
25
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2061
2889
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link