RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Compara
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Puntuación global
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
47
En -88% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
25
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2061
2889
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link