RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Confronto
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
47
Intorno -88% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
25
Velocità di lettura, GB/s
11.8
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2061
2889
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link