RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Comparez
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Note globale
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
42
Autour de -68% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.5
12
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.2
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
25
Vitesse de lecture, GB/s
12.0
19.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1933
3890
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link