RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Comparez
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Note globale
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
42
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.9
12
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.5
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
36
Vitesse de lecture, GB/s
12.0
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
10.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1933
2589
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link