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Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
比较
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
总分
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
42
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
36
读取速度,GB/s
12.0
14.9
写入速度,GB/s
7.2
10.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1933
2589
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
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G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
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