RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Comparez
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Note globale
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Note globale
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.8
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
45
Autour de -32% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
34
Vitesse de lecture, GB/s
12.0
11.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
7.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1939
2245
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link