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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.8
7.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
45
左右 -32% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
34
读取速度,GB/s
12.0
11.2
写入速度,GB/s
7.8
7.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
2245
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
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SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
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