RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Comparez
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Note globale
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Note globale
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
44
Autour de -52% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
13
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.1
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
29
Vitesse de lecture, GB/s
13.0
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
18.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2069
3847
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB Comparaison des RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT451R7AFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link