RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Note globale
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
50
Autour de -117% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.1
1,457.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
23
Vitesse de lecture, GB/s
3,757.3
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,457.4
6.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
557
2130
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link