RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Confronto
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Punteggio complessivo
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
50
Intorno -117% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.1
1,457.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
23
Velocità di lettura, GB/s
3,757.3
13.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,457.4
6.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
557
2130
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Kllisre KRE-D3U1333M/8G 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link