RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
45
Autour de -18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.6
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
38
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
2915
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Jinyu 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link