RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
45
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
38
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2915
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link