RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
45
Около -18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.6
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
38
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
14.6
Скорость записи, Гб/сек
8.0
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
2915
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link