RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
45
Autour de -32% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
34
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
2780
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link