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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
45
Autour de -80% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.2
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
25
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
2740
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GC64B88G0NF-CG 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
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