RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
45
Wokół strony -80% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2740
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5402-052.A00LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Lenovo 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GZH 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 99P5474-023.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link