RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
45
Autour de -55% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.2
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
29
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
3524
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB5N-CG 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link