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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
45
左右 -55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
29
读取速度,GB/s
12.3
17.6
写入速度,GB/s
8.0
14.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
3524
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
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