RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
45
Autour de -25% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
36
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
2792
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Kingmax Semiconductor FSFF65F-C8KL9 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link