RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
45
Por volta de -25% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.4
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
36
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
11.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
2792
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link