RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
45
Rund um -25% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
11.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
2792
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link