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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
45
Autour de -55% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
12800
Autour de 1.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
29
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
23400
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
3093
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB Comparaison des RAM
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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