RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
48
Autour de -41% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.8
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
34
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
3284
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link