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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
48
Por volta de -41% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.8
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
34
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
14.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
3284
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
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