RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
48
Autour de -33% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.4
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
36
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
3351
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB Comparaison des RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link