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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
48
Intorno -33% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.4
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.9
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
36
Velocità di lettura, GB/s
8.9
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
3351
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB Confronto tra le RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
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