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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
48
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
36
读取速度,GB/s
8.9
19.4
写入速度,GB/s
5.9
13.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3351
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
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