RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Comparez
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Note globale
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
47
Autour de -81% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
26
Vitesse de lecture, GB/s
9.3
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1413
3596
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link