RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
47
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
26
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
3596
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link