RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
47
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
26
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
3596
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link