Comparaison de la RAM Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB

Note globale

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

29 47

Autour de -62% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

12.2 9.3

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

8.8 5.9

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

12800 10600

Autour de 1.21 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1333 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

1413 2036

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns