RAM-Vergleich Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB

Gesamtnote

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

29 47

Rund um -62% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

12.2 9.3

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

8.8 5.9

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

12800 10600

Rund um 1.21 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1413 2036

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns