RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Comparez
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Note globale
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Note globale
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
47
48
Autour de 2% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.7
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
48
Vitesse de lecture, GB/s
9.3
11.7
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1413
2568
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C11 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link