RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB против Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
47
48
Около 2% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
11.7
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.7
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
48
Скорость чтения, Гб/сек
9.3
11.7
Скорость записи, Гб/сек
5.9
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1413
2568
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link