RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Confronto
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
47
48
Intorno 2% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.7
9.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
48
Velocità di lettura, GB/s
9.3
11.7
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1413
2568
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link