RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Comparez
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Note globale
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
47
Autour de -38% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.3
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
34
Vitesse de lecture, GB/s
9.3
20.3
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1413
3343
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-016.A00LF 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link