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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
47
Por volta de -38% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.3
9.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
34
Velocidade de leitura, GB/s
9.3
20.3
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
13.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1413
3343
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparações de RAM
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
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