RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB против Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
47
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.3
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
34
Скорость чтения, Гб/сек
9.3
20.3
Скорость записи, Гб/сек
5.9
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1413
3343
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link