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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Différences
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Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Raisons de considérer
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
40
Autour de -25% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.1
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
32
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
14.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
no data
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
, 1.20000005, CAS Supported:
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
2918
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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