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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Razões a considerar
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
40
Por volta de -25% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.1
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.9
8.9
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
14.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
13.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
no data
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
, 1.20000005, CAS Supported:
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
2918
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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