RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
40
Около -25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.1
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.9
8.9
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
14.1
Скорость записи, Гб/сек
8.9
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
no data
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
, 1.20000005, CAS Supported:
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
2918
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link