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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
48
Autour de 17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.3
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
48
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
10.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
1858
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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