RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
32
Autour de 6% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
32
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
2895
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link