RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
30
Autour de -11% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
27
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
3557
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
INTENSO 5641160 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link