RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
30
Autour de -67% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21.3
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.8
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
18
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
21.3
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
3778
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link