RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
30
Autour de -3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.4
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
29
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
14.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
3457
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF556C40-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link