RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
35
Autour de 14% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.4
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
35
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
2672
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link