RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
35
Por volta de 14% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.4
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
35
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
10.4
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
2672
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link