RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
32
Autour de 6% latence réduite
Raisons de considérer
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
32
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
2831
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link